아직 확인되지는 않고 있으나 증시라는게 기대심리와 편승심리의 합으로 움직이는 곳이라 오늘 주가 급등은 의미가 있다고 생각한다... 이게 사실이라면 한국 증시에 강력한 모멘텀이 될 것으로 보인다... 장중내내 난 GPMC 글로벌 지사장들에게 직접 전화를 걸어 바로 확인에 들어가라고 했고, 현재까지 확인된바로는 77.7% 수주가 가능할 것이라는 추정이다...
혈맹 양키 코쟁이 개세끼들은 지들이 취할 이득은 다 취하고 한국 증시를 이제는 중국 상해/심천/홍콩 증시하고는 상관없는 곳으로 만들었다... 그 상모질이 윤씨 개자슥은 동조했고요
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미국와 일본증시에서 벗어난 것도 서러운데, 이제는 왕서방 증시에게서도 왕따중... 정말로 공매도를 중심으로 금투세 영향인가..?? 난 아니라고 생각한다.. 중학개미는 대규모 매도
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삼성, 400단 '꿈의 낸드'로 반격...
AI용 신제품 'BV낸드' 준비...
삼성전자가 저장 용량이 크고 열도 잘 방출해 ‘인공지능(AI) 시대 필수 반도체’가 될 것으로 전망되는 ‘BV낸드플래시(Bonding Vertical NandFlash)’를 2026년 출시한다.
삼성이 2013년 세계 최초로 개발한 V낸드(저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 용량을 극대화한 제품)에 본딩(접합) 기술을 결합해 400단 이상 수직 적층할 수 있는 신개념 제품이다.
전영현 삼성전자 반도체(DS)부문장이 추진하는 ‘근원기술 경쟁력 강화’ 프로젝트가 닻을 올렸다는 평가가 나온다.
28일 한국경제신문이 입수한 삼성전자의 메모리반도체 개발 계획에 따르면 DS부문은 2026년 셀을 400단 이상으로 쌓은 BV낸드 생산에 들어간다. 현재 낸드는 한 개의 웨이퍼에 칩의 컨트롤을 담당하는 페리를 두고,
그 위에 셀을 최대 286층까지 쌓는다. 셀 적층 과정에서 생기는 하단부 페리의 손상과 열 방출 능력 저하로 더 높이 쌓지는 못한다.
삼성은 셀을 먼저 쌓은 뒤 다른 웨이퍼에서 제조한 페리를 붙이는 신개념 본딩 기술을 적용해 성능과 안정성을 높이기로 했다.
"위기일수록 기본으로"… D램·낸드 다시 올인...
"신개념 BV낸드 1000단 목표… 2027년 9나노 D램 첫 양산"
인공지능(AI)용 메모리 시대를 이끄는 쌍두마차인 고대역폭메모리(HBM)와 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 시장에서 삼성전자는 선도자가 아니라 추격자다.
업계에선 삼성전자가 SK하이닉스에 밀린 이유 중 하나로
HBM과 eSSD에 들어가는 기본 제품인 D램과 낸드플래시의 경쟁력이 떨어진 점을 꼽는다. 최근 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)이 1순위 과제로 ‘근원 경쟁력 회복’을 정한 이유가 여기에 있다.
삼성전자는 D램과 낸드플래시 기술력부터 복원한 뒤 수요가 늘고 있는 ‘저전력·고성능’ 제품으로 판도를 바꿀 계획이다.
○ 1000단 이상 멀티BV낸드 개발...
28일 삼성전자의 메모리반도체 개발 계획(로드맵)에 따르면 삼성은 2026년께 400단이 넘는 10세대 V낸드플래시(V10), 2027년께 V11을 내놓는다. 현재 삼성의 최신 낸드플래시는 286단 V9이다.
달라지는 건 V10부터 업계 최초로 본딩(접합) 기술을 적용하는 것이다. 이 제품에 ‘BV낸드(Bonding Vertical NandFlash)’란 이름을 붙인 이유다.
낸드플래시는 저장 공간인 ‘셀’과 이를 컨트롤하는 ‘페리’를 한 웨이퍼에서 만든다. 낸드플래시 용량을 늘리기 위해 셀 적층 단수를 높이는 과정에서 하단부 페리가 손상되는 사례가 자주 발생하고 있다.
삼성전자는 이런 문제를 해결하기 위해 각각 다른 웨이퍼에서 셀과 페리를 구현한 뒤 이를 붙이는 묘수를 찾았다. 이렇게 하면 셀을 400단 이상 쌓아도 페리 손상 없이 합칠 수 있다.
삼성전자는 중장기적으로 1000단 이상 ‘멀티BV낸드’를 출시할 계획이다. BV낸드는 단위 면적당 저장되는 단위인 ‘비트 밀도’가 286단 V9 대비 1.6배 향상된다.
2027년엔 기술 개선을 통해 데이터 입출력 속도를 50% 끌어올린 BV낸드를 공개할 계획이다.
D램에선 이르면 연말부터 6세대 HBM4에 들어가는 10나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 6세대 D램(1c D램)과 10㎚ 7세대 D램(1d D램)을 공개한 뒤 2027년엔 10㎚ 미만 1세대 D램(0a D램)을 도입한다.
0a D램의 가장 큰 특징은 낸드플래시처럼 3차원(3D) 구조 기술인 ‘VCT’를 적용해 성능과 안정성을 높인 것이다. VCT D램은 셀 간의 간섭 현상을 줄이고 용량을 늘리기 위해 낸드플래시처럼 셀을 수직으로 쌓은 게 특징이다.
○ AI 시대 저전력 제품도 출시...
삼성은 HBM의 뒤를 이을 AI 특화 제품 개발에도 속도를 낼 계획이다. 대표적인 게 연산까지 가능한 저전력 메모리인 D램인 서버용 ‘LP-PIM(Low Power-Processing In Memory)’이다.
HBM4와 관련해선 두 가지 버전을 내놓는다. D램 베이스다이(버퍼다이)와 프로세서를 연결하는 입출력 단자를 2048개로 두 배 끌어 올린 일반 제품과 베이스다이에 고객사가 원하는 회로를 넣는 커스텀 HBM이다.
낸드플래시로 만드는 저장장치에도 승부수를 던진다. AI 반도체 투자비에 부담을 느끼는 빅테크를 대상으로 ‘SSD 구독 서비스’를 도입하는 방안도 추진한다.
삼성이 메모리 경쟁력 회복을 최우선 과제로 삼은 건 AI 시대를 맞아 대용량 데이터를 저장하고 처리하는 반도체 수요가 커지고 있기 때문이다. 삼성 내부에선 서버용 D램과 eSSD 시장이 2024~2029년 각각 연평균 27%, 35% 커질 것으로 보고 있다.
한국경제 황 정수, 박 의명, 김 채연 기자
"직원들도 보안 서약"… '삼성기술전' 비밀 기술들은?
차세대 기술 사내 공유 행사… 극비리 열려...
계열사 R&D 기술 보며 얻는 '영감의 순간들'
삼성전자 등 삼성 계열사들이 그룹 차원의 차세대 신기술을 사내 구성원과 공유하는 R&D(연구개발) 교류의 장을 마련했다.
28일 업계에 따르면 삼성전자 등은 이날부터 내달 1일까지 일주일간 기흥 캠퍼스에서 '삼성기술전 2024'를 개최한다. 삼성기술전은 삼성 각 계열사별로 개발 중이거나 개발이 완료된 첨단 기술을 선보이는 자리다.
삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성전기 등 계열사가 준비해 온 100여개가 넘는 미래 기술을 한 자리에 놓고 구성원 간 영감을 얻는 기회로 활용하는 연례 행사다.
올해로 24회째를 맞는 이 행사 슬로건은 'IM(Inspiring Moments, 영감의 순간들)'이다.
올해도 이 행사는 내부 구성원들까지 사전 신청을 해야 참관할 수 있을 정도로 극비리에 진행된다. 워낙 보안에 민감한 미래형 기술이 대거 현장에서 공개되는 만큼, 임직원들도 보안서약서를 써야 할 정도로 보안에 철저하다.
업계에 따르면 올해 행사에서 삼성전자 종합연구소인 SAIT(옛 삼성종합기술원)는 AI(인공지능) 컴퓨팅 분야에서 리스크파이브(RISC-V) 설계 기술을 공개할 것으로 알려졌다.
RISC-V 아키텍처는 반도체 칩을 디자인 할 때 기초가 되는 설계 자산으로, 누구나 수정하고 공유할 수 있는 오픈소스인 점이 특징이다.
삼성전자 DS(반도체) 부문에서도 이번 행사에서 패키징(TSP) 분야에서 울트라 씬 패키지(Ultra thin pacakge)와 2.3D 패널레벨패키지(PLP) 등을 공개하는 것으로 알려졌다.
또 세계 최초 10나노미터(㎚·10억분의 1m) 미만 VCT(수직 채널 트랜지스터) D램 기술도 전시한다. VCT D램은 평평하게 눕혀 배치했던 기존 D램의 트랜지스터를 수직으로 세워 면적을 줄이는 기술이다.
이와 함께 현재 개발 중인 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 10세대 V낸드, 36GB 고용량 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단, 5G(5세대 통신) FR2 ㎜Wave(밀리미터파) 모듈도 소개한다.
DX(디바이스경험) 부문에서도 투명 마이크로 LED(발광다이오드) 기술을 전시하는 것으로 전해졌다.
삼성디스플레이와 삼성전기도 각각 VR(가상현실) 기기에 쓰이는 초고해상도 RGB 올레도스(OLEDos)와 차세대 유리 기판 등 미래 기술을 공개할 예정이다.
뉴시스 이 인준 기자
