또 초격차야~~~ 결국 노키아나 소니화된다... 삼전, 신성장동력 바이오(Bio)로 대체할때까지 잘 벼터라이~~~

 

 왠 액면분할...!!! 지난해 외국계의 삼전 매도리포트를 심각하게 생각해야 한다...!!!

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 (지난글)왠 액면분할...!!! 내 분명히 악재라고 했다...!!!

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 이제야 좀 그 매경답네... 내가 볼때는 삼전의 게잡주화다...!!!

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 그 액분... 삼전이 노키아나 소니화될때, 외국인과 기관이 빠져나가는 통로가 될 섯이다...!!! |

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 한국 경제/산업구조, 조만간 반도체 의존도를 확 줄여야 한다...!!!

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 이 글로 분명히 한다...!!! 길어야 2년... SK하이닉스와 정부 큰 실수하고 있다~~~

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 "AI·5G 등 신사업 집중 육성... 주주가치 중시 정책 지속"

 - 미래성장 견인할 사업기회 선점에 주력...
- 자기주식 소각, 배당, 지배구조 선진화 등 주주중시 정책 지속...
- 사회공헌 비전 ‘함께 가요 미래로! Enabling People’로 나눔과 상생 실천...

 

 

 삼성전자 대표이사 김기남 부회장은 20일 “급격하게 성장하고 있는 AI와 5G에서 의미있는 성과를 낼 수 있도록 집중 육성하고, 앞으로 기술, 소비자, 경쟁환경 변화에 적극 대응해 미래성장을 견인할 사업기회를 선점하겠다”고 밝혔다.

 김 부회장은 이날 오전 삼성 서초사옥에서 열린 정기주주총회 인사말에서 “CE(가전), IM(ITㆍ모바일)사업은 혁신 제품의 지속적인 출시와 제품의 경쟁력 제고를 통해 시장 지배력을 확대하고, 부품 사업은 개발, 제조 역량을 더욱 강화해 초격차를 확보하는 등 체질개선을 통한 내실 강화를 추진하겠다”며 이같이 말했다.

 주주가치 제고 의지도 분명히 했다. 김 부회장은 “작년 12월 회사가 보유한 자기주식을 모두 소각했으며, 분기 배당을 포함해 연간 9조6000억원을 배당으로 지급할 예정”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난해 이사회 의장과 대표이사를 분리하는 한편, 외국 국적, 여성 사외이사를 선임하고 사외이사후보 추천위원회를 전원 사외이사로 구성하는 등 지배구조 선진화에 나섰다.

 김 부회장은 “올해는 삼성전자 창립 50주년을 맞는 매우 뜻깊은 해로, ‘함께 가요 미래로! Enabling People’의 사회공헌 비전 아래 미래인재를 육성할 수 있는 청소년 교육을 적극 지원하고 나눔과 상생을 통해 기업의 사회적 역할 구현에도 앞장서겠다”고 말했다.

  그는 또 “임직원 모두가 철저한 준비와 도전을 통해 리딩 기업의 위상을 공고히 해 주주와 사회, 임직원과 회사가 함께 발전하는데 기여하겠다”고 다짐했다. 이날 주총에는 주주, 기관투자자, 김 부회장, 김현석 사장, 고동진 사장 등 1000여 명이 참석한 가운데 개최됐다.

 올해 주총은 지난해 액면분할로 실질주주가 약 78만8000명으로 5배 가량 늘어난 후 처음으로 열려 주목을 받았다. 일부 주주의 주총장 입장이 다소 지연돼 이에 대한 문제제기가 있었지만 전년 대비 2배 이상 좌석을 늘린 800석과 주변 임시좌석까지 마련해 장소 문제는 크게 제기되지 않았다.

 주총에서는 ▷제50기(2018년1월1일~2018년12월31일) 재무제표 승인 ▷이사 및 감사위원 선임 ▷이사 보수한도 승인 등 3건의 안건이 통과됐다.

 이날 사외이사에는 박재완 전 기획재정부 장관이 재선임됐고, 송광수 전 검찰총장, 이인호 전 신한은행장의 후임으로 김한조 하나금융나눔재단 이사장, 안규리 서울대 의대 교수가 신규 사외이사로 선임됐다.

 박 전 장관과 안 교수 선임을 두고 일부 국내 의결권 자문회사와 해외 기관들이 반대입장을 낸 것으로 알려졌으나 원안대로 선임됐다. 이날 주총에는 이재용 부회장의 사내이사 재선임 안건은 상정되지 않았다. 이 부회장은 이날 주총에 참석하지 않았다.

   

 

 삼성전자, 또 '초격차'... 세계 최초 '3세대 10나노급 D램' 개발...

 세계 최고 미세 공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료...
 '초고속·초절전' 솔루션 확보로 차세대 DDR5/LPDDR5 시장 확대 주도...
 연내 1z나노 D램 라인업 양산해 프리미엄 메모리 시장 확대 주도...
 주력 양산 제품(1y) 대비 생산성 20% 이상 향상... 전력효율도 개선...

 삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다. 삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다.

 3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다. 또한 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다.

 삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

 또 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.

 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

 

 한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.